В ОЭЗ Москвы выпустили первую партию энергоэффективных транзисторов для силовой электроники
Trench MOSFET транзисторы, выпуск которых наладили в ОЭЗ, применяются в силовой электронике: в автоэлектронике, генераторах, источниках вторичного питания, контроллерах двигателей, светотехнике, промышленной электронике, телекоммуникационном оборудовании, энергетике.

Руководитель ведомства отметил, что развитию производств резидентов ОЭЗ способствуют различные преференции. Так, например, ГК «Микрон», наряду с другими резидентами доступна льготная ставка налога на прибыль, которая составляет 2 процента.
Полный цикл производства транзисторов реализован на собственных производственных площадях «Микрона».

Транзисторы, освоенные «Микроном» в серийном производстве по технологии Trench MOSFET с шагом ячейки 1 мкм на кремниевых пластинах диаметром 200мм – один из самых распространенных электронных компонентов на мировом рынке.
На сегодняшний день «Микроном» освоен в серийном производстве сдвоенный N-канальный транзистор с низким сопротивлением канала в открытом состоянии и пробивным напряжением в 20В. Идет освоение других типономиналов по этой технологии, а также оптимизация техпроцесса для скорейшего вывода на рынок новых востребованных продуктов по доступным ценам.
«Технология Trench MOSFET позволяет значительно уменьшить сопротивление открытого канала транзистора при более высоких динамических характеристиках, что открывает очень широкие возможности применения в любых приборах и устройствах силовой электроники. В частности, для управления двигателями, построения высокоэффективных силовых коммутаторов, понижающих стабилизаторов с синхронным выпрямлением и прочих силовых цепей. Первые заказы мы получили от партнеров из Юго-Восточной Азии. В настоящее время портфель заказов почти полностью сформирован из экспортных контрактов», – пояснила директор по развитию производства АО «Микрон» Ирина Коротова.
Ранее в 2021 году «Микрон» выпустил экспериментальную партию отечественного микроконтроллера на открытой архитектуре, который позволит при производстве устройств и приборов снизить зависимость от иностранной компонентной базы и лицензий.
Справка
Особая экономическая зона «Технополис “Москва”» включает в себя пять площадок общей площадью 223,3 га: одна в Печатниках и четыре в Зеленограде – «Алабушево», «Микрон», «МИЭТ», «Ангстрем».
Для резидентов предполагаются особые меры поддержки, например, они освобождаются от уплаты имущественного, транспортного, земельного налога, таможенных пошлин. Ставка налога на прибыль для них составляет всего 2%. Также действуют льготы по аренде земли, выделенной под строительство предприятия, а по его завершении предоставляется возможность выкупить арендованный земельный участок за 1% от его кадастровой стоимости.
ГК «Микрон» – крупнейший производитель и экспортер микроэлектроники в России, центр экспертизы и технологический лидер российской полупроводниковой отрасли, резидент ОЭЗ «Технополис “Москва”». «Микрон» производит более 700 типономиналов продукции, включая интегральные схемы для защищенных носителей данных, идентификационных, платежных и транспортных документов, управления питанием и RFID-маркировки для различных отраслей цифровой экономики. Предприятие сертифицировано по ISO 9001, ISO 14001, IATF 16949. Микрон входит в группу компаний «Элемент».
Технология Trench MOSFET (траншейный МОП-транзистор) является перспективной технологией силовой электроники для систем с низким и средним напряжением питания. Транзисторы на основе Trench MOSFET обеспечивают самое низкое сопротивление в открытом состоянии среди всех других МОП-устройств и в перспективе могут конкурировать с полупроводниковыми приборами на основе широкозонных материалов: соединения нитрида галлия (GaN), карбида кремния (SiC) и других. В отличие от планарных MOSFET-транзисторов, в Trench MOSFET транзисторах для формирования затвора создаётся канавка путем травления кремния. При этом за счёт увеличения затвора управляющее поле охватывает большую площадь, а структуры можно расположить более плотно без увеличения сопротивления перехода сток-исток, что позволяет значительно улучшить функциональные характеристики при уменьшении массы и габаритов транзисторов.